三星宣布已量产3纳米芯片 为全球首家量产3纳米芯片的公司
发布时间:2025-10-30 08:50:07 作者:玩站小弟
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三星电子有限公司周四宣布,该公司已经开始在其位于韩国的华城工厂大规模生产3纳米半导体芯片,是全球首家量产3纳米芯片的公司。图片来源于三星半导体官方微博与前几代使用FinFET的芯片不同,三星使用的GA
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三星电子有限公司周四宣布,星宣芯片该公司已经开始在其位于韩国的布已华城工厂大规模生产3纳米半导体芯片,是量产全球首家量产3纳米芯片的公司。

图片来源于三星半导体官方微博
与前几代使用FinFET的纳米芯片不同,三星使用的为全GAA(Gate All Around)晶体管架构,该架构大大改善了功率效率。球首三星半导体官方微博表示,家量“相较三星5纳米(nm)而言,产纳优化的米芯3纳米(nm)工艺,性能提高23%,公司功耗降低45%,星宣芯片芯片面积减少16%”。布已
据介绍,量产3nm GAA技术采用了更宽通的纳米纳米片,与采用窄通道纳米线的为全GAA?技术相比能提供更高的性能和能耗比。3nm GAA技术上,三星能够调整纳米晶体管的通道宽度,优化功耗和性能,从而能够满足客户的多元需求。
此外,GAA的设计灵活性对设计技术协同优化(DTCO)非常有利,有助于实现更好的PPA 优势。与三星5nm工艺相比,第一代3nm工艺可以使功耗降低45%,性能提升23%,芯片面积减少16%;而未来第二代3nm工艺则使功耗降低50%,性能提升30%,芯片面积减少35%。

图片来源于三星半导体官方微博
与前几代使用FinFET的纳米芯片不同,三星使用的为全GAA(Gate All Around)晶体管架构,该架构大大改善了功率效率。球首三星半导体官方微博表示,家量“相较三星5纳米(nm)而言,产纳优化的米芯3纳米(nm)工艺,性能提高23%,公司功耗降低45%,星宣芯片芯片面积减少16%”。布已
据介绍,量产3nm GAA技术采用了更宽通的纳米纳米片,与采用窄通道纳米线的为全GAA?技术相比能提供更高的性能和能耗比。3nm GAA技术上,三星能够调整纳米晶体管的通道宽度,优化功耗和性能,从而能够满足客户的多元需求。
此外,GAA的设计灵活性对设计技术协同优化(DTCO)非常有利,有助于实现更好的PPA 优势。与三星5nm工艺相比,第一代3nm工艺可以使功耗降低45%,性能提升23%,芯片面积减少16%;而未来第二代3nm工艺则使功耗降低50%,性能提升30%,芯片面积减少35%。
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